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通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子显微术（BEEM）及其谱线（BEES）测量了CoSi2/Si接触的局域肖特基势垒高度，对于800℃退火的CoSi2/Si接触，势垒高度的空间分布基本符合高斯分布，其峰值在599meV，标准偏差为21meV。而对于700℃退火样品，势垒高度分布很不均匀，局域的势垒高度值分布在152meV到870meV之间，这可归因于CoSi2薄膜本身的不均匀性。