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结构陶瓷蠕变断裂或因遍及材料内部的晶界孔洞的成核，生长及合并引起，或因其内部的主要缺陷的生长引起，本文综述了用小角度中子散射方法得到的最新实验结果和立体映象应变分析；并将它们用于回答大量的上述两种机理有关的关键性问题。用ＳＡＮＳ结果及其它相关的研究结果考察了晶界孔洞的成核，生长过程。演示并讨论了孔洞的随机性。把蠕变裂纹生长过程描述为直接质量传输过程或损伤区生长过程。