【摘 要】
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利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响.随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例.在生长温度较高时,外延层表面粗糙.生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽.迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长温度的升高反而降低.
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