【摘 要】
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介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用，包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等，并对影响ICP刻蚀结果的因素进行
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,河北工业职业技术学院信息工程与自动化系
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介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用，包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等，并对影响ICP刻蚀结果的因素进行了分析。研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和射频源功率对刻蚀的影响，并初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺。
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