【摘 要】
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本文首先简介国外8～14微米HgCdTe材料的发展和现状,然后介绍碲溶剂法、再结晶法和高压回流法等一些熔体生长方法和所得8～14微米材料的性能。最后,结合器件的应用,对8～14微米HgCd
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本文首先简介国外8～14微米HgCdTe材料的发展和现状,然后介绍碲溶剂法、再结晶法和高压回流法等一些熔体生长方法和所得8～14微米材料的性能。最后,结合器件的应用,对8～14微米HgCdTe材料的发展前景作了简略估计。
In this paper, we firstly introduce the development and current situation of HgCdTe materials in foreign countries from 8 to 14 microns, then introduce some methods of melt growth, such as tellurium solvent method, recrystallization method and high pressure reflux method, and the properties of the obtained 8-14 micron material. Finally, combined with the application of the device, a brief estimation of the development prospects of 8-14 micron HgCdTe materials is made.
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