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我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。
微光电子集成灵巧象素器件
【摘 要】
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我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家“八六三”计划资助项目,,国家自然科学基金资助项目 !( 698962 60 ,6978980 2 )
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