高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：achiao172

【摘要】

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为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽100μm,其

【作者】

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张素梅石家纬赵世舜胡贵军

【机构】

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吉林大学,吉林大学

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

高功率半导体激光器远结单量子阱 ALGAAS/GAAS high-power semiconductor laser remote junction s

【基金项目】

：

高等学校博士学科点专项科研项目

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为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽100μm,其外延结构与通常的808nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层,其厚度约为0.1 μm.为减小衬底表面位错对外延层质量的影响,在n+-GaAs衬底和n-Al05Ga0.5As下包层间加一层n+-GaAs缓冲层.对器件进行了电导数测试及恒流电老

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