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本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.......
本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最......
本文报导了128×1元AlGaAs/GaAs多量子阱探测器的均匀性研究.通过改进上下电极之间的绝缘工艺,使探测器的均匀性明显提高,其电阻不......
会议
注入式激光器二维列阵是固体激光泵浦系统的关键元件，因为它的辐射特性在很大程度上决定该类激光器的输出参数和结构特点。对实际应......
通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频......
利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显......
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs......
GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs ......
