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采用离子液体电沉积技术,以非晶硅电池板为基片,Si Cl4和Ge Cl4的离子液体Py1.4Tf2N混合溶液作为电解液,利用循环伏安扫描法确定Si、Ge在以非晶硅电池板为基板时共还原电位,完成Si、Ge的共沉积,制备出SiXGe1-x薄膜.并对其电化学沉积机理进行分析.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描探针显微镜(SPM)、能量色散光谱仪(EDX)对基板及样品的结构、表面进行了测量和分析.