0．6μmCMOS分布式放大器设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guanxming

【摘要】

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采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下，测试得

【作者】

：

陈勖王志功李伟

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

分布式放大器电感互补金属氯化物半导体管联结构 distributed amplifier inductor CMOS cascode stru

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采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下，测试得到的频带宽度为0．1～4.0GHz，增益为5.0±1.0dB，输入输出的回波损耗分别小于-10dB和-7dB。在5V供电下功耗约为110mW。

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