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在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积1～4μm厚的α-Si薄膜(基底沉积温度为300C,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N2气保护中热退火,可使其快速晶化成多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下α-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.