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工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用
工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tuojing
【摘 要】
:
工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MOSPAD软件系
【作 者】
:
鲁勇
张文俊
郑期彤
李成
杨之廉
【机 构】
:
清华大学
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2003年1期
【关键词】
:
工艺综合
MOSFET
双极器件
半导体
响应表面法
Process synthesis
MOSFET
Bipolar device
Response s
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工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MOSPAD软件系统.在工艺综合系统中,使用响应表面法可加速综合的速度.
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