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利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成，合成器件的脉冲功率超过320W，增益8．6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上，设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC，在2～4GHz频带内小信号增益大于lOdB，脉冲输出功率最大超过10W。