考虑热載流子效应的MOS管模拟特性

来源 :成都电讯工程学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kisscase
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本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其击穿公式。讨论了纵向电场对热电子的作用所导致载流子迁移率下降的现象。最后给出了考虑这两种热戴流子作用的几种N-MOS管模型的模拟比较。 This paper analyzes the three effects of avalanche hot holes in a short-channel N-MOS tube substrate: changing the conductance of the inversion layer, reducing the barrier height between the source-substrate junction and the drain-substrate junction, and the horizontal npn tube The parasitic effect, and the ring gain of 1 derived its breakdown formula. The phenomenon that the carrier mobility decreases due to the effect of the vertical electric field on the hot electrons is discussed. Finally, the simulation comparison of several N-MOS tube models considering the role of these two kinds of thermal walk-inors is given.
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