在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Alexandratj

【摘要】

：

人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且S

【作者】

：

Ishihara Y Kawanishi H Takano

【机构】

：

DepartmentofElectronicEngineering

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2001年z1期

【关键词】

：

残余应力控制 AlN和GaN外延层 (AlN/GaN)多缓冲层低压MOVPE

【基金项目】

：

Project supported by Grants-In Aid (No. 11750020 and No. 11650354) from the Ministry of Education, Science, Sports and Culture, and High-Tec Research Center in Private Universities. This work was carr

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人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近.然而,对于AlN外延层来说,需要控制其中的残余应力,因为在SiC衬底上直接生长的AlN外延层中存在着因晶格失配所产生的压缩应力.另一方面,在SiC衬底上直接生长的GaN外延层中存在着拉伸应力.这种拉伸应力起源于GaN比衬底有着更大的热膨胀系数.本文讨论了在6H-SiC衬底上生长的氮化物外

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