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在105~300K温区内,测量了X射线激发下Ce3+:LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237~300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105~300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致.通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为0.51eV和0.55eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce3+取代Sr2+所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F空位以及Li+空位所形成的本征缺陷.