快中子辐照直拉硅中V2的退火研究

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利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究。实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V30与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。
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