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利用傅立叶红外吸收光谱（FTIR）和正电子湮没技术（PAS）对快中子辐照直拉硅中的双空位（V2）的退火行为进行了研究。实验表明，双空位主要通过捕获VO而消失，因V30与V2有相同的正电子寿命，因此，正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。
快中子辐照直拉硅中V2的退火研究
【摘 要】
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利用傅立叶红外吸收光谱（FTIR）和正电子湮没技术（PAS）对快中子辐照直拉硅中的双空位（V2）的退火行为进行了研究。实验表明，双空位主要通过捕获VO而消失，因V30与V2有相同的正电子寿命，因
【机 构】
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天津工程师范学院数理与信息科学系,天津理工大学理学院
【出 处】
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天津工程师范学院学报
【发表日期】
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2008年3期
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