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通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于PGMEA，PVP绝缘膜通过溶液旋涂法由交联剂质量分数分别为1%、3%、5%、7%的四种溶液制成，四种溶液PVP的质量分数均为5%。对CV特性、Vt特性和IV特性的分析表明，在PVP质量分数为5%的溶液中，加入质量分数为5%的交联剂，退火之后形成的PVP绝缘膜陷阱密度最低，漏电流最小，仅为2.9×10-8A/cm2。通过对JV特性曲线的线性拟合发现，PVP绝缘膜在低电场情况下漏电机理为PF效应，在高电场情况下PVP绝缘膜漏电机理存在由肖特基发射至空间电荷限制电流效应的转化。