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使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度（E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2）、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空间电荷限制电流法（SCLC）的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。