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本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=(V_T)_R-(V_T)_M的实测值曲线.最后对结果进行了讨论.
采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管（PH—ISFET）阈值电压
【摘 要】
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本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=
【机 构】
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中国科学院半导体研究所北京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年1期
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