【摘 要】
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TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si 衬底AlGaN/GaN HEMT。这种器件10 GHz下的连续波输出功率密度达到7 W/mm。此结果表明, GaN/Si已发展到
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TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si 衬底AlGaN/GaN HEMT。这种器件10 GHz下的连续波输出功率密度达到7 W/mm。此结果表明, GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率 MMIC甚至更高的频率。
TriQuint Semiconductor researchers announced the creation of the world’s largest power Si substrate AlGaN / GaN HEMT. The CW output power density at 10 GHz is 7 W / mm. This result shows that GaN / Si has evolved to an attractive level for mid-to-high-power transistors and is expected to be used for even higher frequencies of X-band power MMICs.
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