【摘 要】
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用ANSYS软件对Bi4Ti3O12(BTO)薄膜退火过程中形成的热应力进行了模拟,并研究了BTO薄膜的厚度对热应力的影响。结果表明:BTO薄膜厚度为0.3μm时,薄膜经过退火之后产生的热应力
【机 构】
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长春工程学院机电学院,宁波材料研究所,
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用ANSYS软件对Bi4Ti3O12(BTO)薄膜退火过程中形成的热应力进行了模拟,并研究了BTO薄膜的厚度对热应力的影响。结果表明:BTO薄膜厚度为0.3μm时,薄膜经过退火之后产生的热应力为压应力。当薄膜从0.1μm逐渐变化为1μm时,薄膜表面的热应力从最大的压应力逐渐减小,当厚度为0.8μm时转变为拉应力,且随厚度的增加继续增加。
The thermal stress formed during annealing of Bi4Ti3O12 (BTO) thin films was simulated by ANSYS software and the influence of the thickness of BTO films on thermal stress was studied. The results show that when the thickness of BTO thin film is 0.3μm, the thermal stress generated by annealing the film is compressive stress. When the thickness of the film is gradually changed from 0.1μm to 1μm, the thermal stress on the surface of the film decreases from the maximum compressive stress. When the thickness is 0.8μm, the stress changes to tensile stress and increases with the increase of the thickness.
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