MEMS微波谐振器

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【摘要】

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南京电子器件研究所采用微机械工艺和硅衬底集成波导技术成功研制出了Q值大于180的单片集成MEMS微波谐振器.该谐振器采用SIW(衬底集成波导)技术形成单片硅填充腔体结构.采用

【作者】

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【机构】

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南京电子器件研究所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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南京电子器件研究所采用微机械工艺和硅衬底集成波导技术成功研制出了Q值大于180的单片集成MEMS微波谐振器.该谐振器采用SIW(衬底集成波导)技术形成单片硅填充腔体结构.采用通孔阵列和地平面形成NRD(不辐射介质)波导.主要使用ICP深刻蚀技术形成MEMS通孔.采用CPW电流探针与腔体间进行耦合.

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