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分析了极紫外光刻技术作为下下代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向足提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等。