【摘 要】
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InSb材料由于其优异的光电性能，一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向，开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延
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InSb材料由于其优异的光电性能，一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向，开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜，通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析，并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证，结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。
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