【摘 要】
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提出了多离子不同位置替代镍离子(利用晶格畸变互补性)来制备氢氧化镍电极材料的方法,并对AP+、Zn2+的替代量、阴离子种类、活性剂的种类和反应温度进行了正交试验,得出了最
【机 构】
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北京思格卓越实验室有限公司,北京,100029中国科学院合肥物质科学研究院,安徽,合肥,230031;中国科学院合肥物质科学研究院,安徽,合肥,230031;
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提出了多离子不同位置替代镍离子(利用晶格畸变互补性)来制备氢氧化镍电极材料的方法,并对AP+、Zn2+的替代量、阴离子种类、活性剂的种类和反应温度进行了正交试验,得出了最佳的Al3+、Zn2+替代纳米氢氧化镍的制备工艺,获得电化学容量达316mAh/g的电极材料.通过晶格常数分析,证实了晶格畸变互补性.
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