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采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜.室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;磁电阻比的最大值为2.93%,遵从颗粒膜磁电阻的平方律.上述实验结果表明该多层膜样品具有类似于颗粒膜的结构.
Fe／In2O3／Fe多层膜的磁性及巨磁电阻效应
【摘 要】
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采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜.室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;磁电阻比的最大值
【机 构】
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山东大学
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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2002年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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