【摘 要】
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采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西北工业大学材料学院,长安大学材料科学与工程学院
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采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌。测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω.cm。位错密度在106cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104cm-2,同时孪晶密度明显低于Br
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