【摘 要】
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使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石
【机 构】
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太原理工大学表面工程研究所,北京科技大学材料科学与工程学院
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使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响。在CH4浓度由0.5%上升到1.0%时,金刚石膜的择优取向由（220）转变为（111）,由1.0%上升到2.5%时,则由（111）转变为（220）以及（311）;在700～1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜（
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