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研究了低电压的静电放电（ESD）对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型（HBM）对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明：高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用：一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显.