潜在性失效相关论文
对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行CB结反偏注入,研究了其ESD潜在性失效规律.在实验中通过监测器件的放大倍数hFE来表征器件的潜......
本文研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件2SC3356造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356从CB结施加......
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效......
研究了低电压的静电放电（ESD）对微电子器件造成的潜在性失效．采用人体模型（HBM）对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力......
研究了低电压的静电放电（ESD）对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型（HBM）......
对高频小功率硅双极结型晶体管2SC3356进行静电放电试验,并利用加速寿命试验原理对两组器件进行加速寿命试验。采用Arrhenius模型......
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体......
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分......
静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
研究了低电压的静电放电（ESD）对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型（HBM）对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果......
研究了静电放电(ESD)对双极型硅器件造成的潜在性失效．发现利用直流放大倍数hFE及反向漏电流ICEO可以检测双极型硅器件是否受到ESD......
各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件......
针对2SC3356晶体管进行了ESD潜在性失效判别的参数研究，研究的参数包括结电容和噪声系数、结反向击穿电压和结反向漏电流，以及高温反......
