用In_(0.5)Al_(0.5)P作发射区的新型GaAs HBT

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenyuanliang520
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用In_(0.5)Al_(0.5)P作发射区的新型GaAsHBT近年来,异质结双极晶体管(HBT)在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《IEEEEDL》第15卷1期报道.J.M.Kuo等用气源分子束外延(GSMBE)技术首次生长出了In0.5Al0.5... In recent years, the application of heterojunction bipolar transistor (HBT) in high-speed circuits has attracted much attention. According to “IEEE EDL” Volume 15 1 report. J. M. Kuo and other sources of molecular beam epitaxy (GSMBE) technology for the first time out of In0.5Al0.5 ...
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