低压低能耗应用的InGaAs/AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:btly540205390
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提出了微波频率下PHEMT在作开关运用时一种简化的等效电路模型,其模型参数可从对实际PHEMT芯片的在片微波测试方便地确定,对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行了开关性能(插入损耗,隔离度,输入及输出反射损耗)的模拟计算表明,与实验结果符合良好。在对串/并联PHEMT型SPDT开关的CAD优化设计基础上进行了InGaAs/AlGaAsPHEMT单片SPDT微波开关原实验研制,从研制的MMIC
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