Beta相氮化硅的电子结构

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aajilin
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用局域密度泛函理论和LMTO-ASA方法计算了氮化硅-β-Si3N4的电子结构。由于采用了Lowdin微挠理论,在保证能量精度的条件下,大大减少了计算工作量。通过三种不同空原子球设置方案的能带计算结果的比较,详细讨论了在开结构晶体能带计算中的空原子球设置对能带的影响。结果表明,空原子球的合理设置对于得到正确开结构材料的能带结构,特别是导带结构是重要的,本文结果和第一原理赝势法得到的能带相吻合。
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