氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响

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【摘要】

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本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数.X射线衍射

【作者】

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王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学物理系

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

PLD法硅衬底 LiNb03晶体薄膜 C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积氧压铌酸锂薄膜半导体 LiNbO3 film Pulsed laser depos

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本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数.X射线衍射和透射电子显微镜分析表明,氧压为30 Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜,LN(006)衍射峰的半高宽为0.21°.这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜.

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