【摘 要】
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提出了一种简便可行的ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型——ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理；而用ｐｎ结大注入效应分析开关的电学性质；并根据大截面单模ＳＯＩ脊
【机 构】
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西安交通大学电子工程系，西安电子科技大学微电子所
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提出了一种简便可行的ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型——ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理；而用ｐｎ结大注入效应分析开关的电学性质；并根据大截面单模ＳＯＩ脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的这种器件的结构参数和电学参数．
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