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以Al2O3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺.研究了不同退火条件下Al2O3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h.并对制得的Al2O3薄膜进行了SEM表面和断面分析,结果表明制得的Al2O3薄膜较烧结的Al2O3基板致密.
介质薄膜的制备及其电性能的测试分析
【摘 要】
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以Al2O3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺.研究了不同退火条件下Al2O3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h.并对制得的Al2O3薄
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2004年5期
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