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通过直接测量激光射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａδ掺杂ＺｎＳｅ超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ，另一块样品的淬灭温度接近２９０Ｋ。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了掺杂过程我电导淬灭温度的影响。
Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应
【摘 要】
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通过直接测量激光射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａδ掺杂ＺｎＳｅ超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ，另一块样品
【机 构】
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复旦大学物理系半导体物理实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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