掺碲的InSb-NiSb共晶复合材料的磁阻性能

来源 :浙江大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:aramis_Rose
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炉子温度梯度G=125±5°C/cm,不同单向凝固速度(R)制备的掺Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,测试它们在不同温度(T),不同磁感(B)的电阻值时,发现:1.在R—(R_B/R_0)关系上出现(R_B/R_0)最大值,这现象在国内外文献中未曾见过,它可由物理的和几何的磁阻效应来说明。2.在同样的T,B下,掺Te共晶的(R_B/R_0)值较小,例如室温,B=10kG时,掺Te共晶(R_B/R_0)=7~9,而不掺Te的(R_B/R_0)=12~16;而且温度越高(R_B/R_0)越低。3.掺Te共晶的B(RB-R0)曲线上开始出现线性关系的Bs值较高,在7~7.5kG,而未掺Te共晶的Bs≥4~5kG。4.掺Te共晶的霍耳角较小,B=10kG时时θ=74.6~72.5°(R=0.046~0.548mm/min),而未掺Te共晶的θ=80.9~76°(R=0.041~0.60mm/min)。5.掺Te共晶的磁阻温度系数较小,αρ_(B10-(?)°c=0.21~0.41%/℃,而未掺Te共晶αρ_(B10-50°)=0.84~1.73%/℃。 Furnace temperature gradient G = 125 ± 5 ° C / cm, Te6 × 10 ~ (16) / cm ~ 3 and undoped Te-doped InSb-NiSb eutectic composites prepared by different unidirectional solidification rates Their resistance values ​​at different temperatures (T) and different magnetic induction (B) show that: 1. The maximum value of (R_B / R_0) appears in the relationship R- (R_B / R_0) Seen, it can be described by the physical and geometric magnetoresistive effect. 2. In the same T, B, Te-doped eutectic (R_B / R_0) value is small, such as room temperature, B = 10kG, Te-doped eutectic (R_B / R_0) = 7 to 9, (R_B / R_0) = 12~16; and the higher the temperature (R_B / R_0), the lower. 3. The Bs value of B (RB-R0) curve with Te eutectic began to show a linear relationship is higher at 7 ~ 7.5kG, while Bs ≥4 ~ 5kG without Te eutectic. (4) The eaves angle of Te-doped eutectic is smaller at θ = 74.6 ~ 72.5 ° (R = 0.046 ~ 0.548mm / min) at B = 10kG, while θ = 80.9 ~ 76 ° 0.041 ~ 0.60mm / min). The magnetoresistance temperature coefficient of Te-doped eutectic is smaller, αρ_ (B10 - (?) ° c = 0.21 ~ 0.41% / ℃, while that of undoped Te eutectic αρ_ (B10-50 °) = 0.84 ~ 1.73% ℃.
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