Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算

来源 :大连交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxm181512619

【摘要】

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通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合

【作者】

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林龙刘铁铮陶华龙张志华

【机构】

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大连交通大学材料科学与工程学院,河南理工大学数学与信息科学学院

【出处】

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大连交通大学学报

【发表日期】

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2015年4期

【关键词】

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稀磁半导体电子结构磁性第一性原理 4H-SIC diluted magnetic semiconductors electronic structure

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（51372027）

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通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0：3d-C∶2p-Cr1∶3d链耦合,处于铁磁基态.Cr掺杂4H-SiC体系的铁磁机理是空穴作为载流子的双交换机制,C与Cr原子间强烈的p-d轨道间杂化作为铁磁交换的媒介.

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