Growth Mode Investigation of 3,4,9,10-perylenetetra-carboxylic Dianhydride on p-Si Substrates by X-r

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在希腊语的第二十三个字母底层上扔的 3,4,9,10-perylenetetra-carboxylic dianhydride (PTCDA ) 的生长模式能被 X 光检查光致核裂变光谱学(XPS ) 推出。在标本的表面的光谱和好光谱被学习。第一, PTCDA 分子在缺点集合形成大量三维的像岛的 PTCDA 晶体原子核,然后由去除的大蟺的行动结合 PTCDA 分子的二邻近的层重叠到某程度和最后像岛的结构形式。苯戒指的 PTCDA 分子在缺点与 Si 原子结合,并且酐激进分子在表面的完美的部分与 Si 原子
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