【摘 要】
：
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,L
论文部分内容阅读
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,L
其他文献
文章介绍了包钢钢管公司酸性服役管线管BNS成分设计要求,对材料的拉伸性能、冲击性能、组织以及耐腐蚀性能进行了检测和分析,正火处理后,材料具有良好的力学性能和抗腐蚀性能。试验结果表明,设计的BNS完全能满足酸性服役条件下管线管性能要求。
为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO2/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了
通过对KR脱硫操作和工艺参数的试验,分析研究了KR铁水预脱硫工艺的影响因素。试验结果表明,脱硫粉剂消耗量、搅拌时间、搅拌速度对铁水脱硫率影响明显,确定了KR脱硫生产工艺参数,固化了生产工艺,为品种钢稳定生产提供保证。
镶嵌硅纳米晶的SiO2薄膜(Si-nc∶SiO2)是目前主要的硅发光材料.Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO2的方法尤为重要.使用氢硅倍半环氧乙
以MoS2为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH4)2MoS4前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH4)2MoS4旋涂薄膜的均匀性,然后在H2气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO2/Si基片上制备了大面积、连
随着人工智能技术的快速发展,机器学习被广泛应用于各行各业,并在多个领域都取得了较好的成果。房价是一个影响因素复杂的热点问题,难以对其做出全面准确的预测。因此,本文尝试在一个相对稳定条件下将相关的机器学习算法应用于房价预测中。本文首先对数据进行缺失值处理、样本的因变量相关分析及标准化处理等一系列预处理,然后结合互联网数据和机器学习中的XGBoost算法对数据集进行建模和训练,最终实现对房价的精准预测。
设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器。在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成器的相位噪声。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行了设计仿真和流片验证。测试结果表明:频率合成器工作在频率为10 GHz时,电荷泵中高增益低噪声电流源关闭和开启情况下,锁相环相位噪声分别为-106.1 dBc/Hz@10 kHz和-108.68 dBc/Hz@10 kHz。实现
阳湾铁矿赋存于中太古界乌拉山群第一岩组的角闪斜长片麻岩中,矿体由磁铁石英岩组成,矿体形态简单,呈似层状透镜状成群成带的断续产出,产状与地层一致,为直接的找矿标志。该区铁矿具有较强的磁性,可做为间接找矿标志。
河北省政府办公厅近日印发的《关于进一步推进工程建设项目审批增速提效的实施意见》中明确指出,在工程建设项目全流程审批增速提效的基础上,简化整合项目报建手续,精简优化审批程序、审批事项、申报材料,落实“一站式”集中并联办理审批服务要求,打造工程建设项目审批提速“升级版”。进一步压缩审批时限。将政府投资类、社会投资核准类、社会投资备案类3类项目从立项到取得施工许可,由45,38,35个工作日分别压缩至39,33,31个工作日。
针对包钢煤气管网的运行现状及煤气管道存在腐蚀泄漏的安全隐患,从管道腐蚀破坏的原因、造成管道腐蚀破坏的内外因素进行了分析,结合不同介质管道腐蚀的具体情况,有针对性的采取相应的带煤气带压堵漏方法,排除煤气管网运行中的不安全因素,保证管网的安全运行和正常输气,确保煤气管网系统安全稳定运行。