基于0.15μm pHEMT的超宽带低噪声放大器

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采用RC负反馈、源极电感负反馈等方法,设计并制作了一种基于MMIC技术的3~15 GHz超宽带低噪声放大器,在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益。采用0.15μm Ga As p HEMT工艺进行设计,该放大器的芯片尺寸为2 mm×1 mm,直流功耗为200 m W。在片测试结果表明,带内增益高达28 d B,4~12 GHz带宽范围内的噪声系数低于2 d B,输入/输出回波损耗大于15 d B,测试结果与仿真结果十分吻合。该低噪声放大器可应用于S,C,X,Ku波段外差接收机以及毫米波、亚毫米波接收机的中频模块。
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