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为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性，基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先，仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响，优化设计PCB布局以减小寄生电感，对比PCB布局优化前后的测试结果。其次，对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiCMOSFET开通特性的影响。然后，对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响，并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后，对比分析不同测试点对测试结果的