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本论文采用近空间升华法制备了CdTe薄膜，并对其性能及其在量子点敏化太阳电池中的应用进行了研究。使用X-射线能谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)研究了源温度、源与衬底的距离对所制备的CdTe薄膜的化学组成、表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响，并使用电化学工作站研究了CdTe薄膜的对多硫电解质的催化氧化还原活性。然后制备了CdS/CdSe量子点共敏化TiO2光阳极，并将所制备的CdTe薄膜用作对电极，以S22-/OH-/S2-体系作为电解质溶液组装成相应的量子点敏化太阳电池，并测试了电池的光伏性能。
在源与衬底的距离为10 mm、沉积时间为40 min、源温度为650℃和700℃时，所制备出的CdTe薄膜均符合化学计量比，并沿着(111)方向择优生长，其禁带宽度约为1.43 eV;且源温度为700℃时，薄膜的表面致密、均匀、无裂痕，其衍射峰强度更强，结晶程度更好，晶粒尺寸明显大于源温度为650℃时的晶粒尺寸。当源温度为700℃、沉积时间为40 min、源与衬底的距离分别为5mm、10mm和15mm时，所制备的CdTe薄膜也符合化学计量比，沿着(111)方向择优生长，其禁带宽度也约为1.43 eV;但其衍射峰强度变化依次为5mm＞10 mm＞15 mm，表明CdTe薄膜的结晶程度随着源与衬底距离的增加而减弱;与源与衬底距离为5 mm和10 mm时所制备的CdTe薄膜表面致密情况相反，源与衬底距离为15mm时所制备的CdTe薄膜表面疏松、颗粒很小且孔隙很大。保持源与衬底距离为5mm、沉积时间为40 min不变，使用三种不同的源温度700℃、650℃、600℃来制备CdTe薄膜，利用电化学阻抗谱分析其对氧化还原电对S22-/S2-的催化氧化还原活性，发现界面传输电阻Rct分别为1458Ω、1378Ω、977Ω，电子重组时间分别为τa=0.0321 s，τb=0.01578 s，τc=0.00877 s，所组装的量子点敏化太阳电池的光电转换效率分别为0.034％、0.0064％、0.0225％(AM1.5和100 mW· cm-2)。