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本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.更多还原
热解CVD方法制备氧化铍薄膜的研究
【摘 要】
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本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.更多还原
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学化学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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