脉冲激光淀积法在Pt/TiO_2/SiO_2/Si(001)衬底上制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.45)Ti_(0.50))O_3薄膜的铁电性质研究

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用脉冲激光淀积方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了掺Ta的PZT薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Schottky场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明PZT薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。
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