研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600 ℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600 ℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400 ℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10
19 cm
-3和4.2 cm
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022长春理工大学材料科学与工程学院,吉林长春130022
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研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600 ℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600 ℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400 ℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10
19 cm
-3和4.2 cm
2·V
-1·s
-1,之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300 ℃升高到600 ℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。
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