【摘 要】
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本论文利用光敏硅的可变电导率特性,设计了一种基于光控的电磁超表面宽带太赫兹调制器.电磁超表面由金属薄膜、隔离层以及具有光敏硅的特殊结构组成.光敏硅的电导率从1 S/m变
【机 构】
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天津大学精密仪器与光电子工程学院,枣庄学院光电工程学院
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本论文利用光敏硅的可变电导率特性,设计了一种基于光控的电磁超表面宽带太赫兹调制器.电磁超表面由金属薄膜、隔离层以及具有光敏硅的特殊结构组成.光敏硅的电导率从1 S/m变为2×105S/m时,谐振频率从1.4 THz变到1.0 THz,其反射率从-5 d B变到-38d B,频移为0.3 THz,振幅调制深度接近100%,并且电磁超表面的反射率小于-10 d B的带宽从0变为0.64 THz,实现宽频带低反射主要与相邻结构单元的反射相位差有关系.该电磁超表面结构为大范围、宽频带的太赫兹调制器提供了
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