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利用变温和变激发匠近红外光致发光、研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源。根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。
Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的特性研究
【摘 要】
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利用变温和变激发匠近红外光致发光、研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源。根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室,中国民用航空学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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